گارانتی

گارانتی اصلی (آواژنگ، حامی، ایمانتک)
گارانتی اصلی
گارانتی اصلی

برند

سامسونگ
سامسونگ
سامسونگ

ظرفیت

3.84 ترابایت
2 ترابایت
1 ترابایت

نوع حافظه اس اس دی

اینترنال
اینترنال
اینترنال

وزن

160 گرم
31 گرم
-

نوع فلش

3D TLC
V-NAND TLC
V-NAND TLC

نوع رابط اتصال

SAS 2.5 Inch
PCIe 5.0 x4 , NVMe 2.0
PCIe 5.0 x4 , NVMe 2.0

فرم فاکتور

2.5 اینچ
2280 M.2
2280 M.2

میانگین طول عمر

1.5 میلیون ساعت
1.5 میلیون ساعت
1.5 میلیون ساعت

سرعت خواندن تصادفی اطلاعات

450,000IOPS
1850K IOPS
-

سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات

90,000IOPS
2600K IOPS
-

کنترلر

Native SAS 3.0
Native SAS 3.0
Native SAS 3.0

سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات

2100 مگابایت بر ثانیه
2100 مگابایت بر ثانیه
2100 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات

2000 مگابایت بر ثانیه
2000 مگابایت بر ثانیه
2000 مگابایت بر ثانیه

توضیحات اتصال

SAS 12.0 Gbps
SAS 12.0 Gbps
SAS 12.0 Gbps

DRAM

ندارد
ندارد
ندارد

قابلیت پشتیبانی از TRIM

ندارد
ندارد
ندارد

پشتیبانی از NCQ

ندارد
ندارد
ندارد

پشتیبانی از TRIM

ندارد
ندارد
ندارد

پشتیبانی از RAID

ندارد
ندارد
ندارد

گارانتی

گارانتی اصلی (آواژنگ، حامی، ایمانتک)
گارانتی اصلی
گارانتی اصلی

برند

سامسونگ
سامسونگ
سامسونگ

ظرفیت

3.84 ترابایت
2 ترابایت
1 ترابایت

نوع حافظه اس اس دی

اینترنال
اینترنال
اینترنال

خنک کننده

-هیت‌ سینک
-

وزن

160 گرم
31 گرم
-

ابعاد

-8.88 × 25 × 80.1 میلی متر
8.88 × 25 × 80.1 میلی متر

نوع فلش

3D TLC
V-NAND TLC
V-NAND TLC

نوع رابط اتصال

SAS 2.5 Inch
PCIe 5.0 x4 , NVMe 2.0
PCIe 5.0 x4 , NVMe 2.0

فرم فاکتور

2.5 اینچ
2280 M.2
2280 M.2

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

-1500G
1500G

میانگین طول عمر

1.5 میلیون ساعت
1.5 میلیون ساعت
1.5 میلیون ساعت

سرعت خواندن تصادفی اطلاعات

450,000IOPS
1850K IOPS
-

سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات

90,000IOPS
2600K IOPS
-

سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات

14700 مگابایت بر ثانیه
14700 مگابایت بر ثانیه
14700 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات

13400 مگابایت بر ثانیه
13400 مگابایت بر ثانیه
13400 مگابایت بر ثانیه

دمای عملیاتی

-0 تا 70 درجه سانتی گراد
0 تا 70 درجه سانتی گراد

سایر ویژگی ها

پشتیبانی از NVMe مقاومت در برابر شوک قابلیت پشتیبانی از TRIM پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-Bit و IEEE1667
پشتیبانی از NVMe مقاومت در برابر شوک قابلیت پشتیبانی از TRIM پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-Bit و IEEE1667
پشتیبانی از NVMe مقاومت در برابر شوک قابلیت پشتیبانی از TRIM پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-Bit و IEEE1667

گارانتی

گارانتی اصلی (آواژنگ، حامی، ایمانتک)
گارانتی اصلی
گارانتی اصلی

برند

سامسونگ
سامسونگ
سامسونگ

ظرفیت

3.84 ترابایت
2 ترابایت
1 ترابایت

نوع حافظه اس اس دی

اینترنال
اینترنال
اینترنال

ابعاد

-8.88 × 25 × 80.1 میلی متر
8.88 × 25 × 80.1 میلی متر

نوع فلش

3D TLC
V-NAND TLC
V-NAND TLC

نوع رابط اتصال

SAS 2.5 Inch
PCIe 5.0 x4 , NVMe 2.0
PCIe 5.0 x4 , NVMe 2.0

فرم فاکتور

2.5 اینچ
2280 M.2
2280 M.2

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

-1500G
1500G

میانگین طول عمر

1.5 میلیون ساعت
1.5 میلیون ساعت
1.5 میلیون ساعت

سرعت خواندن اطلاعات

14800 مگابایت بر ثانیه
14800 مگابایت بر ثانیه
14800 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات

13400 مگابایت بر ثانیه
13400 مگابایت بر ثانیه
13400 مگابایت بر ثانیه

دمای عملیاتی

-0 تا 70 درجه سانتی گراد
0 تا 70 درجه سانتی گراد

سایر ویژگی ها

پشتیبانی از NVMe مقاومت در برابر شوک قابلیت پشتیبانی از TRIM پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-Bit و IEEE1667
پشتیبانی از NVMe مقاومت در برابر شوک قابلیت پشتیبانی از TRIM پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-Bit و IEEE1667
پشتیبانی از NVMe مقاومت در برابر شوک قابلیت پشتیبانی از TRIM پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-Bit و IEEE1667

پشتیبانی از S

M.A.R.T

ندارد
ندارد
ندارد

رابط حافظه در حالت M2

0

PCIe Mode
PCIe Mode
PCIe Mode

تماس با ما

پاسخگوی شما هستیم

یکی از راه های زیر را برای ارتباط انتخاب کنید

0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه