نوع رابط حافظه

PCI-E Gen۳ x۴
PCI-E Gen۳ x۴

کنترل کننده

high-quality NAND Flash controller
high-quality NAND Flash controller

ظرفیت

512GB
512GB

میانگین عمر

۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
۱۸۰۰۰۰۰ ساعت

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

حداکثر تا 2000 مگابایت بر ثانیه
حداکثر تا 2000 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

حداکثر تا 3400 مگابایت بر ثانیه
حداکثر تا 3400 مگابایت بر ثانیه

ابعاد

22×80×3.5 میلی‌متر
22×80×3.5 میلی‌متر

وزن

8.2 گرم
8.2 گرم

فرم ظاهری

2280
2280

نوع فلش

3D NAND
3D NAND

درگاه اتصال

M.2
M.2

نسل PCIe

نسل 3.0
نسل 3.0

پشتیبانی از NVMe

دارد
دارد

گارانتی

گارانتی اصلی
گارانتی اصلی

برند

-سامسونگ

ظرفیت

-1 ترابایت

نوع حافظه اس اس دی

-اینترنال

ابعاد

-8.88 × 25 × 80.1 میلی متر

نوع فلش

-V-NAND TLC

نوع رابط اتصال

-PCIe 5.0 x4 , NVMe 2.0

فرم فاکتور

-2280 M.2

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

-1500G

میانگین طول عمر

-1.5 میلیون ساعت

سرعت خواندن اطلاعات

14800 مگابایت بر ثانیه
14800 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات

13400 مگابایت بر ثانیه
13400 مگابایت بر ثانیه

دمای عملیاتی

-0 تا 70 درجه سانتی گراد

سایر ویژگی ها

پشتیبانی از NVMe مقاومت در برابر شوک قابلیت پشتیبانی از TRIM پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-Bit و IEEE1667
پشتیبانی از NVMe مقاومت در برابر شوک قابلیت پشتیبانی از TRIM پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-Bit و IEEE1667

رابط حافظه در حالت M2

0

PCIe Mode
PCIe Mode

پشتیبانی از S

M.A.R.T

دارد
دارد

تماس با ما

0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه