- نوع رابط حافظه
- PCI-E Gen۳ x۴
- کنترل کننده
- high-quality NAND Flash controller
- ظرفیت
- 256GB
- میانگین عمر
- ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
- حداکثر تا 2000 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
- حداکثر تا 3400 مگابایت بر ثانیه
- ابعاد
- 22×80×3.5 میلیمتر
- وزن
- 8.2 گرم
- فرم ظاهری
- 2280
- نوع فلش
- 3D NAND
- درگاه اتصال
- M.2
- رابط حافظه در حالت M2.0
- PCIe Mode
- نسل PCIe
- نسل 3.0
- پشتیبانی از NVMe
- دارد
- پشتیبانی از S.M.A.R.T
- دارد
- برند
- سامسونگ
- حافظه داخلی
- 2 ترابایت
- نوع حافظه اس اس دی
- اینترنال
- وزن
- 9 گرم
- ابعاد
- 2.3 × 22 × 80 میلیمتر
- ظرفیت
- 2 ترابایت
- نوع فلش
- V-NAND 3-bit TLC
- نوع رابط اتصال
- M.2
- فرم فاکتور
- 2280 M.2
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
- 1500G
- میانگین طول عمر
- 1.5 میلیون ساعت
- سرعت خواندن تصادفی اطلاعات
- 7450 مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات
- 6900 مگابایت بر ثانیه