ورود به حساب کاربری
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

  • ۴۶۰,۰۰۰IOPS


  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

  • ۴۵۰,۰۰۰IOPS


  • ظرفیت

  • یک ترابایت
    512GB
    120 گیگابایت
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

  • ۱۵۰۰G

    ۱۵۰۰G
  • میانگین عمر

  • ۱.۵۰۰.۰۰۰ ساعت
    ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت

  • نوع فلش

  • TLC
    3D NAND
    TLC
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • حداکثر تا ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
    حداکثر تا 2000 مگابایت بر ثانیه
    تا ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • حداکثر تا ۳۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
    حداکثر تا 3400 مگابایت بر ثانیه
    تا ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
  • قابلیت‌های مقاومتی

  • مقاوم در برابر شوک


  • نوع رابط حافظه


  • PCI-E Gen۳ x۴

  • کنترل کننده


  • high-quality NAND Flash controller

  • ابعاد


  • 22×80×3.5 میلی‌متر

  • وزن


  • 8.2 گرم
    ۶۰ گرم
  • فرم ظاهری


  • 2280

  • درگاه اتصال


  • M.2

  • رابط حافظه در حالت M2.0


  • PCIe Mode

  • نسل PCIe


  • نسل 3.0

  • پشتیبانی از NVMe


  • دارد

  • پشتیبانی از S.M.A.R.T


  • دارد

  • سایر قابلیت‌ها



  • Powerful ECC engine correcting up to ۷۲bit/۱KB SDR cache buffer for strengthened I/O efficiency Supports S.M.A.R.T. commands میانگین زمان بین خطای ۱,۵۰۰,۰۰۰ ساعت نوع فلش: ۳D TLC
  • قابلیت‌های حافظه



  • پشتیبانی از NCQ
  • نوع رابط



  • SATA ۳.۰