ورود به حساب کاربری
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

  • ۴۶۰,۰۰۰IOPS


  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

  • ۴۵۰,۰۰۰IOPS


  • ظرفیت

  • یک ترابایت
    512GB

  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

  • ۱۵۰۰G


  • میانگین عمر

  • ۱.۵۰۰.۰۰۰ ساعت
    ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت

  • نوع فلش

  • TLC
    3D NAND

  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • حداکثر تا ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
    حداکثر تا 2000 مگابایت بر ثانیه

  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • حداکثر تا ۳۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
    حداکثر تا 3400 مگابایت بر ثانیه

  • قابلیت‌های مقاومتی

  • مقاوم در برابر شوک


  • نوع رابط حافظه


  • PCI-E Gen۳ x۴

  • کنترل کننده


  • high-quality NAND Flash controller

  • ابعاد


  • 22×80×3.5 میلی‌متر

  • وزن


  • 8.2 گرم

  • فرم ظاهری


  • 2280

  • درگاه اتصال


  • M.2

  • رابط حافظه در حالت M2.0


  • PCIe Mode

  • نسل PCIe


  • نسل 3.0

  • پشتیبانی از NVMe


  • دارد

  • پشتیبانی از S.M.A.R.T


  • دارد