- وزن
- ۸.۲ گرم۶۰ گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
- ۴۳۰K50,۰۰۰ (IOPS)
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
- ۲۹۵K80,۰۰۰ (IOPS)
- نوع رابط حافظه
- M.۲ ۲۲۸۰
- ظرفیت
- 1TB480گیگابایت240 گیگابایت
- میانگین عمر
- ۱.۵ میلیون ساعت110 TBW
- نوع فلش
- TLCTLC۳D NAND
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
- ۲MB/sتا ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه400 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
- ۱.۲MB/s۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
- رابطها
- PCI Express
- قابلیتهای حافظه
- پشتیبانی از NCQ | پشتیبانی از TRIM | پشتیبانی از Raidپشتیبانی از TRIM
- قابلیتهای مقاومتی
- مقاوم در برابر لرزش
- میزان مقاومت شوک
- 1500G/0.5ms
- میانگین عمر - MTBF
- 1.500.000 ساعت
- دمای عملیاتی
- 0 تا 70 درجه سانتیگراد۰°C – ۷۰°C
- دمای ذخیره سازی
- 40- تا 85 درجه سانتیگراد
- ابعاد
- ۱۰۰.۲۰mm (L) x ۶۹.۸۵mm (W) x ۷.۰۰mm (H)
- فرم فکتور
- SATA ۲.۵
- نوع رابط
- SATA ۳.۰
- کنترل کننده
- PHISON ۱۱
- میانگین زمان عمر (MTBF)
- ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
- سایر قابلیتها
- فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) Over-Provision LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm