• ابعاد

  • ۱۰۰.۲۰mm (L) x ۶۹.۸۵mm (W) x ۷.۰۰mm (H)


  • ظرفیت

  • 240 گیگابایت
    120 گیگابایت

  • فرم فکتور

  • SATA ۲.۵


  • نوع فلش

  • ۳D NAND
    TLC

  • نوع رابط

  • SATA ۳.۰
    SATA ۳.۰

  • میانگین عمر

  • 110 TBW


  • کنترل کننده

  • PHISON ۱۱


  • دمای عملیاتی

  • ۰°C – ۷۰°C


  • میانگین زمان عمر (MTBF)

  • ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت


  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

  • 50,۰۰۰ (IOPS)


  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

  • 80,۰۰۰ (IOPS)


  • قابلیت‌های حافظه

  • پشتیبانی از TRIM
    پشتیبانی از NCQ

  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • 400 مگابایت بر ثانیه
    تا ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه

  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
    تا ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه

  • سایر قابلیت‌ها

  • فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) Over-Provision LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm
    Powerful ECC engine correcting up to ۷۲bit/۱KB SDR cache buffer for strengthened I/O efficiency Supports S.M.A.R.T. commands میانگین زمان بین خطای ۱,۵۰۰,۰۰۰ ساعت نوع فلش: ۳D TLC

  • وزن


  • ۶۰ گرم

  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک


  • ۱۵۰۰G

  • برند



  • سامسونگ
  • حافظه داخلی



  • 2 ترابایت
  • نوع حافظه اس اس دی



  • اینترنال
  • وزن



  • 9 گرم
  • ابعاد



  • 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر
  • ظرفیت



  • 2 ترابایت
  • نوع فلش



  • V-NAND 3-bit TLC
  • نوع رابط اتصال



  • M.2
  • فرم فاکتور



  • 2280 M.2
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک



  • 1500G
  • میانگین طول عمر



  • 1.5 میلیون ساعت
  • سرعت خواندن تصادفی اطلاعات



  • 7450 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات



  • 6900 مگابایت بر ثانیه